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MSK-PSS-MC1010磁控溅射仪可在衬底基片上溅射一层薄膜，原理是由惰性工艺气体产生辉光放电现象生成带电离子，带电离子经过电场加速后轰击固体靶材表面，使靶材表面原子和分子被轰击飞溅出来，同时产生二次电子，再次撞击气体原子而形成更多的带电离子，从靶材溅射出来的粒子在低压气氛中向硅片作渡越运动，碰撞到衬底基片上并被基片吸附，最终凝聚在衬底形成需要的薄膜。
| 磁控溅射仪功能特点 |
|---|
设备设计紧凑，可与手套箱对接；
极限真空度优于5E-5Pa（干燥环境），溅射尺寸兼容多种规格，最大为100*100mm，并支持基片旋转速度0～30rpm连续可调；
采用不锈钢真空室，内部电抛光处理，配备观察窗、靶枪及挡板转轴等；
真空系统采用“分子泵+机械泵"组合，具有高效的抽速和完善的真空测量系统；
气体控制方面，具备3路进气并可通过流量计精确控制；
配有3个共焦向上溅射的圆形靶枪，可支持低气压溅射以减小二次电子损伤；
设备提供旋转加热工件台，可调节转速、加热温度以及与靶之间的距离
| 技术参数 | ||
|---|---|---|
| 电源 | 三相五线制AC380V±10%，频率：50Hz，总功率约6KW | |
| 气源 | 压缩空气：干燥、干净、无水、无油的压缩空气，8mm塑料气管，压力5.5～6公斤（0.55-0.6Mpa） 普通氮气：干燥氮气，用于设备腔室破真空，8mm塑料气管，压力1-2公斤（0.1-0.2Mpa） 工艺气体：高纯，99.999%，共两路工艺气体，6mm不锈钢管，其中一路为高纯氩气，压力1～2公斤（0.1-0.2Mpa），另外两路工艺气体按工艺需求准备 | |
| 水源 | 流量15-20升/分钟水温15～25℃， 进水和出水压差1～2公斤，进水压力2～3公斤， 设备的进水和出水口外径12mm （建议在设备的进水口前安装一个球阀，方便调节水压和水流量） | |
| 真空室 | 304不锈钢真空室，内部电抛光 前后开门，门上有1个80mm观察窗，带挡板，防辐射 底部安装3个靶枪及挡板转轴 侧壁及底部有备用法兰接口以备将来使用 可拆卸不锈钢内衬，手拧拆卸方便清理 | |
| 真空系统 | 组成 | 分子泵+机械泵组合式真空系统，气动阀门 分子泵：中科科仪分子泵FF200/1300，抽速：1300L/s 机械泵：鲍斯BSV-30机械泵，抽速：9L/s 真空阀门：型号：DN40mm 挡板阀2套；主阀DN200 1套，可调限流阀1套，进口薄膜真空计1套，量程0.0001torr-0.1torr，自动调压 真空密封：可拆静密封采用氟橡胶圈密封，不常拆静密封采用无氧铜密封 |
| 真空极限 | 真空极限优于5×10－5Pa（干燥环境） | |
| 抽速 | 抽气时间：大气压～工作真空（5*10-4Pa），约20min（对接手套箱氮气环境） | |
| 真空计 | 1个两低一高2个真空计，测量范围：大气到1E-5Pa | |
| 气体控制 | 3路进气，采用Horiba Metron（中日合资）流量计控制进气，流量计最大流量分别为200/100/50sccm，两路气体经过流量计后混合，混合后导入真空室靶面 | |
| 溅射靶枪 | 3个2英寸圆形靶枪，共焦向上溅射 靶枪和工件距离80-120mm，可调节 每个靶枪带一个独立的电控气动挡板 可实现低气压溅射，减小二次电子损伤样品基底 | |
| 溅射电源 | 1台G-POWER功率500W自动匹配射频电源： 最大输出功率500W，频率13.56MHz，输出采用功率控制模式，自动匹配，匹配时间短，反射功率小于3W； 1台北京持动力直流溅射电源： 最大输出功率500W，输出可切换采用功率控制模式，恒流模式，恒压模式，电源带完善的异常打火，短路等保护功能耐用易用 | |
| 旋转加热工件台 | 最大可放置衬底基片样品尺寸：100mm*100mm，兼容3英寸、2英寸、φ45mm、φ30mm，以及小尺寸方形片（对角线长度小于45mm） 基片转速0-30rpm连续可调，旋转轴水冷保护 转轴磁流体密封 样品台加热温度：最高温度500℃，控温误差±1℃ 样品台和靶之间距离采用焊接波纹管密封电动可调，带刻度显示 成膜质量：样品范围内均匀性优于±5% | |
| 控制系统 | 西门子PLC+西门子触摸屏手自动控制系统 控制内容：机械泵，分子泵，气动、电磁阀门、流量计等等；自动抽真空，自动排气等 完整的互锁保护（硬件、软件互锁） | |
| 真空室尺寸 | 约W400*D400*H450mm | |
| 外形尺寸 | 约W780*D930*H1820mm | |
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